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半導(dǎo)體物理學(xué):下冊 版權(quán)信息
- ISBN:9787312052408
- 條形碼:9787312052408 ; 978-7-312-05240-8
- 裝幀:一般膠版紙
- 冊數(shù):暫無
- 重量:暫無
- 所屬分類:>
半導(dǎo)體物理學(xué):下冊 本書特色
(1)英文原版是國際經(jīng)典著作,中文版根據(jù)英文版第4版(2021年)翻譯。 (2)內(nèi)容豐富(24章正文+11個附錄),圖文并茂(1000多張圖表+26面彩插),參考資料翔實(shí)(約2200篇參考文獻(xiàn))。 (3)涵蓋半導(dǎo)體物理學(xué)的歷史沿革、基本知識、專題討論以及半導(dǎo)體的應(yīng)用和器件。 (4)無需固體物理學(xué)和量子力學(xué)的基礎(chǔ)即可學(xué)習(xí)本書,適合本科生和研究生,也可作為半導(dǎo)體科技人員的參考書。
半導(dǎo)體物理學(xué):下冊 內(nèi)容簡介
本書介紹了半導(dǎo)體物理和半導(dǎo)體器件,包括固體物理、半導(dǎo)體物理、各種半導(dǎo)體器件的概念及其在電子學(xué)和光子學(xué)中的現(xiàn)代應(yīng)用。全書包括三部分內(nèi)容:半導(dǎo)體物理學(xué)的基礎(chǔ)知識(第1—10章)、專題(第11—20章)與半導(dǎo)體的應(yīng)用和器件(第21—24章)。 第1章介紹半導(dǎo)體物理學(xué)的歷史沿革,按照時間順序給出歷史上半導(dǎo)體相關(guān)的重要時刻和事件。第2—10章講述半導(dǎo)體物理學(xué)的基礎(chǔ)知識,包括:化學(xué)鍵、晶體、缺陷、力學(xué)性質(zhì)、能帶結(jié)構(gòu)、電子的缺陷態(tài)、輸運(yùn)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)、復(fù)合過程。 第11—20章是專題,包括:表面、異質(zhì)結(jié)構(gòu)、二維半導(dǎo)體、納米結(jié)構(gòu)、外場、極性半導(dǎo)體、磁性半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體、介電結(jié)構(gòu)、透明導(dǎo)電的氧化物半導(dǎo)體。 第21—24章是半導(dǎo)體的應(yīng)用和器件,包括:二極管、電光轉(zhuǎn)換器件、光電轉(zhuǎn)換器件、晶體管。 本書內(nèi)容豐富(除了24章正文以外,還有11個附錄),圖文并茂(大約有1000張圖片和表格),參考資料豐富(大約有2200篇參考文獻(xiàn)),經(jīng)過多年教學(xué)實(shí)踐的檢驗(yàn),是一本優(yōu)秀的教科書。本書可以在沒有或者只有很少固體物理學(xué)和量子力學(xué)知識的基礎(chǔ)上學(xué)習(xí),適合研究生和高年級本科生學(xué)習(xí),也可以作為半導(dǎo)體科研人員的參考書。
半導(dǎo)體物理學(xué):下冊 目錄
譯者的話
前言
縮寫
符號
物理常量
第16章 極化半導(dǎo)體
16.1簡介
16.2自發(fā)極化
16.3鐵電性
16.4壓電性
第17章 磁性半導(dǎo)體
17.1簡介
17.2磁性半導(dǎo)體
17.3稀磁半導(dǎo)體
17.4自旋電子學(xué)
第18章 有機(jī)半導(dǎo)體
18.1簡介
18.2材料
18.3電子結(jié)構(gòu)
18.4摻雜
18.5輸運(yùn)性質(zhì)
18.6光學(xué)性質(zhì)
第19章 介電結(jié)構(gòu)
19.1光子帶隙材料
19.2微共振腔
第20章 透明導(dǎo)電的氧化物半導(dǎo)體
20.1簡介
20.2材料
20.3性質(zhì)
第3部分 應(yīng)用
第21章 二極管
21.1簡介
21.2金屬-半導(dǎo)體接觸
21.3金屬-絕緣體-半導(dǎo)體二極管
21.4雙極型二極管
21.5應(yīng)有和特殊的二極管器件
第22章 光電轉(zhuǎn)換
22.1光催化
22.2光電導(dǎo)
22.3光電二極管
22.4太陽能電池
第23章 電光轉(zhuǎn)換
23.1輻射計(jì)量學(xué)的量和光度學(xué)的量
23.2閃爍體
23.3發(fā)光二極管
23.4激光器
23.5半導(dǎo)體光學(xué)放大器
第24章 晶體管
24.1簡介
24.2雙極型晶體管
24.3場效應(yīng)晶體管
24.4 JFET和MESFET
24.5 MOSFET
24.6薄膜晶體管
附錄A 張量
附錄B 點(diǎn)群和空間群
附錄C 克拉默斯-克羅尼格關(guān)系
附錄D 振子強(qiáng)度
附錄E 量子統(tǒng)計(jì)
附錄F 克羅尼格-彭尼模型
附錄G 緊束縛模型
附錄H k·p微擾理論
附錄I 有效質(zhì)量理論
附錄J 玻爾茲曼輸運(yùn)理論
附錄K 噪聲
參考文獻(xiàn)
半導(dǎo)體物理學(xué):下冊 作者簡介
Marius Grundmann,德國萊比錫大學(xué)物理學(xué)教授,研究領(lǐng)域包括薄膜、納米結(jié)構(gòu)、基于氧化物材料和碘化銅的透明器件、異質(zhì)結(jié)構(gòu)和微腔。 姬揚(yáng),博士,研究員,博士生導(dǎo)師。在中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)獲得學(xué)士和碩士學(xué)位,1998年在中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所獲得理學(xué)博士學(xué)位,在以色列魏茲曼研究所做了4年博士后。自2002年起,在中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體超晶格國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室工作,從事半導(dǎo)體自旋物理學(xué)方面的實(shí)驗(yàn)研究。發(fā)表過多篇學(xué)術(shù)論文,已經(jīng)翻譯出版過5本學(xué)術(shù)著作和1本社科著作。
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