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晶圓級應變SOI技術

包郵 晶圓級應變SOI技術

出版社:西安電子科技大學出版社出版時間:2024-11-01
開本: 16開 頁數: 160
本類榜單:工業技術銷量榜
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晶圓級應變SOI技術 版權信息

晶圓級應變SOI技術 內容簡介

進入21世紀以來, 應變硅和SOI(Silicon-On-Insulator, 絕緣體上硅)被公認為是深亞微米和納米工藝制程維持摩爾定律(Moore’s Law)和后摩爾定律的兩大關鍵技術, 也被稱為21世紀的硅集成電路技術。
本書共分7章, 主要介紹SOI晶圓制備技術、SOI晶圓材料力學特性與結構特性、機械致晶圓級單軸應變SOI技術、高應力氮化硅薄膜致晶圓級應變SOI技術及其相關效應、高應力氮化硅薄膜致晶圓級應變SOI晶圓制備、晶圓級應變SOI應變模型、晶圓級應變SOI應力分布的有限元計算。
本書主要面向硅基應變半導體理論與技術領域的研究者, 同時也可作為本科微電子科學與工程專業和研究生微電子學與固體電子學專業相關課程的教學參考書。

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