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包郵 模擬電子電路基礎(chǔ)

出版社:電子工業(yè)出版社出版時(shí)間:2024-01-01
開(kāi)本: 大16開(kāi) 頁(yè)數(shù): 304
中 圖 價(jià):¥45.0(6.4折) 定價(jià)  ¥69.9 登錄后可看到會(huì)員價(jià)
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模擬電子電路基礎(chǔ) 版權(quán)信息

模擬電子電路基礎(chǔ) 本書(shū)特色

1. 普通高等教育“十二五”規(guī)劃教材 ( 版title)2. 高等學(xué)校電工電子基礎(chǔ)課程教學(xué)指導(dǎo)分委員會(huì) 教材3. 浙江省普通本科高!笆奈濉敝攸c(diǎn)教材(徽標(biāo)文件見(jiàn)壓縮包)4. 2020年 本科線上線下混合式課程配套教材5. 2023年 本科線上課程配套教材6. 本科專業(yè)建設(shè)點(diǎn)立項(xiàng)教材☆ 掃描二維碼在線學(xué)習(xí):微課視頻、思維導(dǎo)圖、教學(xué)輔助擴(kuò)展資源等! 華信教育資源網(wǎng)注冊(cè)下載:電子課件、習(xí)題參考答案、電路仿真實(shí)例、課前學(xué)習(xí)指南、課程授課計(jì)劃等。 以現(xiàn)代主流CMOS技術(shù)為應(yīng)用背景,以MOS器件為主介紹器件原理、放大器設(shè)計(jì)原理與方法。 以MOS集成電路為核心講解集成放大器的分析與設(shè)計(jì)。 以非線性電路的線性建模與分析為主線,分析和類比不同電路的模型及應(yīng)用。

模擬電子電路基礎(chǔ) 內(nèi)容簡(jiǎn)介

本書(shū)根據(jù)教育部高等學(xué)校電工電子基礎(chǔ)課程教學(xué)指導(dǎo)分委員會(huì)課程教學(xué)基本要求編寫(xiě)而成。全書(shū)共10章,主要內(nèi)容包括導(dǎo)論、晶體二極管、場(chǎng)效應(yīng)管、雙極型晶體管、電壓型集成運(yùn)算放大器單元電路、輸出級(jí)與功率放大器、負(fù)反饋放大器及其穩(wěn)定性分析、集成運(yùn)算放大器的典型應(yīng)用、標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)發(fā)生器、直流穩(wěn)壓電源和集成穩(wěn)壓器等。本書(shū)配套微課視頻、思維導(dǎo)圖、教學(xué)輔助擴(kuò)展資源、電子課件、習(xí)題參考答案、仿真程序?qū)嵗a、課前學(xué)習(xí)指南、課程授課計(jì)劃等。

模擬電子電路基礎(chǔ) 目錄

目 錄 第1章 導(dǎo)論 1 習(xí)題 4 第2章 晶體二極管 5 2.1 二極管的基本特性―單向?qū)щ娦?5 2.1.1 由電子產(chǎn)品供電引出的整流需求 5 2.1.2 二極管的端口伏安關(guān)系 6 2.2 二極管的伏安特性及其參數(shù) 12 2.2.1 二極管的伏安特性曲線圖 12 2.2.2 二極管的主要參數(shù)及數(shù)據(jù)手冊(cè) 13 2.3 含二極管電路的電路分析方法 14 2.3.1 單向?qū)щ娔J较碌拇笮盘?hào)分析方法 (含直流分析) 14 2.3.2 正向?qū)J较碌慕涣餍⌒盘?hào) 分析方法 16 2.3.3 擊穿狀態(tài)下的二極管建模― 齊納二極管 18 2.4 常見(jiàn)的二極管應(yīng)用電路 20 2.4.1 限幅電路 20 2.4.2 邏輯電路 22 2.4.3 穩(wěn)壓電路 23 2.4.4 整流電路 24 2.5 半導(dǎo)體器件物理基礎(chǔ) 28 2.5.1 本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體 28 2.5.2 PN結(jié)及其特性 31 本章小結(jié) 35 習(xí)題 35 第3章 場(chǎng)效應(yīng)管 37 3.1 放大器的基本概念及模型 37 3.1.1 放大器的定義及傳輸特性曲線 37 3.1.2 放大器的主要參數(shù)及建模 39 3.1.3 放大器的帶寬 43 3.2 MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理 43 3.2.1 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管器件結(jié)構(gòu) 43 3.2.2 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的 工作原理 44 3.3 MOSFET的特性及建模分析 47 3.3.1 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性 47 3.3.2 其他類型的MOSFET特性 50 3.3.3 襯底效應(yīng) 53 3.3.4 場(chǎng)效應(yīng)管門(mén)電路的實(shí)現(xiàn) 53 3.3.5 CMOS數(shù)字邏輯電路 55 3.3.6 場(chǎng)效應(yīng)管的分析方法基礎(chǔ) 57 3.4 MOSFET放大器直流偏置電路 61 3.4.1 各種常用偏置電路 62 3.4.2 直流偏置電路的分析與設(shè)計(jì) 63 3.5 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的分析 65 3.5.1 放大電路的性能指標(biāo) 65 3.5.2 放大器的3種組態(tài) 65 3.5.3 共源放大器 66 3.5.4 接源極電阻的共源放大器 67 3.5.5 共柵放大器 69 3.5.6 共漏放大器或源極跟隨器 71 3.5.7 3種組態(tài)放大器的比較 72 本章小結(jié) 72 習(xí)題 73 第4章 雙極型晶體管 78 4.1 晶體管的器件結(jié)構(gòu)及工作原理 78 4.1.1 器件結(jié)構(gòu) 78
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模擬電子電路基礎(chǔ) 作者簡(jiǎn)介

劉圓圓,女,杭州電子科技大學(xué)副教授。主要研究領(lǐng)域?yàn)榇髷?shù)據(jù)分析、深度學(xué)習(xí)、人工智能等技術(shù)在非線性信號(hào)處理、視頻圖像分析等領(lǐng)域的應(yīng)用,主持完成國(guó)家自然科學(xué)基金青年基金項(xiàng)目1項(xiàng),浙江省自然科學(xué)基金項(xiàng)目1項(xiàng),參與/完成國(guó)家基金項(xiàng)目等 項(xiàng)目5項(xiàng)。已發(fā)表學(xué)術(shù)論文30余篇,申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利5件,授權(quán)2件。

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