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集成電路工藝實驗基礎 版權信息
- ISBN:9787566922137
- 條形碼:9787566922137 ; 978-7-5669-2213-7
- 裝幀:平裝-膠訂
- 冊數:暫無
- 重量:暫無
- 所屬分類:>>
集成電路工藝實驗基礎 內容簡介
全書分3章, 共26個實驗,第1章為基礎工藝,包含真空技術、硅片的清洗及氧化、光刻工藝流程實驗教學、氧等離子體刻蝕、 等離子體增強化學氣相沉積、磁控濺射法制備金屬薄膜、原子層沉積法制備納米薄膜的實驗原理及工藝流程;第2章為檢測測量技術,包含MOSFET 器件特性的測量與分析、橢圓偏振儀測薄膜厚度、紫外可見分光光度計測量亞甲基藍溶液濃度、傅立葉變換紅外光譜法 (FTIR) 測定硅中雜質氧的含量、等離子體朗繆爾探針診斷技術、等離子體發射光譜診斷技術、質譜法測定氧氣放電組成成份及能量實驗、半導體二極管的伏安特性及溫度特性、ICCD 器件的特性研究及應用、四探針法測量相變材料的變溫電阻曲線、薄膜厚度和形貌測量;第3章為工藝基礎及應用,包含表面波等離子體放電實驗、脈沖放電等離子體特性實驗、低氣壓容性耦合等離子體特性實驗、低氣壓感性耦合等離子體 (ICP) 特性實驗、等離子體晶格、等離子體功能材料制備與光學性能檢測、低溫等離子體染料廢水處理實驗、低溫等離子體產生 O3 及其應用的實驗探索。本書的目標和任務是使學生熟練掌握半導體材料和器件的制備、 基本物理參數以及物理性質的測試原理和表征方法, 為半導體材料與器件的開發、 設計與研制打下堅定基礎。
集成電路工藝實驗基礎 目錄
■ 章基礎工藝
實驗11真空技術/2 實驗12硅片的清洗及氧化 /10 實驗13光刻工藝流程實驗教學/16 實驗14氧等離子體刻蝕/20 實驗15等離子體增強化學氣相沉積/27 實驗16磁控濺射法制備金屬薄膜/33 實驗17原子層沉積法制備納米薄膜的實驗原理及
工藝流程/38
■ 第二章檢測測量技術
實驗21MOSFET器件特性的測量與分析/45 實驗22橢圓偏振儀測薄膜厚度/51 實驗23紫外可見分光光度計測量亞甲基藍溶液濃度/56 實驗24傅立葉變換紅外光譜法(FTIR)
測定硅中雜質氧的含量/62 實驗25等離子體朗繆爾探針診斷技術/68 附錄/74 實驗26等離子體發射光譜診斷技術/78 附錄/83 實驗27質譜法測定氧氣放電組成成份及能量實驗/84 實驗28半導體二極管的伏安特性及溫度特性/90 實驗29ICCD器件的特性研究及應用/95 實驗210四探針法測量相變材料的變溫電阻曲線/104 實驗211薄膜厚度和形貌測量/111
■ 第三章工藝基礎及應用
實驗31表面波等離子體放電實驗/118 實驗32脈沖放電等離子體特性實驗/125 實驗33低氣壓容性耦合等離子體特性實驗/130 附錄/135 實驗34低氣壓感性耦合等離子體(ICP)特性實驗/137 實驗35等離子體晶格/141 實驗36等離子體功能材料制備與光學性能檢測/147 實驗37低溫等離子體染料廢水處理實驗/151 實驗38低溫等離子體產生O3及其應用的實驗探索/160 ■ 參考文獻/164
集成電路工藝實驗基礎 作者簡介
石建軍,磁約束核聚變教育部研究中心(東華大學)副主任和紡織行業先進等離子體技術與應用重點實驗室副主任,中國力學學會第八屆等離子體科學與技術專業委員會副主任委員,教育部新世紀優秀人才,上海市曙光學者和浦江學者。研究方向:在等離子體物理和等離子體與材料相互作用方面開展基礎和應用研究。先后主持了包括國家自然科學基金面上、青年項目和科學部主任基金項目、科技部ITER計劃配套項目、教育部新世紀優秀人才支持計劃、上海市浦江人才計劃、上海市曙光計劃等。在《Physical Review Letters》、《Applied Physics Letters》、《Journal of Applied Physics》等期刊上發表SCI論文80余篇。 郭穎,紡織行業先進等離子體技術與應用重點實驗室副主任,中國電工技術學會等離子體及應用專委會委員。主要從事低溫等離子體的基礎和應用研究工作,包括等離子體源技術、診斷及理論和數值模擬。致力于發展大面積均勻穩定的低溫等離子體源技術;同時也面向等離子體與材料表面的相互作用,如刻蝕、沉積、接枝及功能改性方面的工作。主持國家基金項目3項,主持與美國March公司合作設備開發項目等多項橫向項目,參加其他各類科研項目(國家重點基金等)多項,所參加的項目獲得上海市科技進步二等獎。在APL、PSST、POP、ACS Appl. Mater. Interfaces, Appl. Surf. Sci.、AIP Advances等發表論文三十多篇。
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