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功率半導(dǎo)體器件 版權(quán)信息
- ISBN：9787111727743
- 條形碼：9787111727743 ; 978-7-111-72774-3
- 裝幀：平裝-膠訂
- 冊數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
功率半導(dǎo)體器件 本書特色
全面系統(tǒng)介紹各種功率半導(dǎo)體器件工作原理，內(nèi)容由淺入深
功率半導(dǎo)體器件 內(nèi)容簡介
本書內(nèi)容包括4部分。第1部分介紹功率半導(dǎo)體器件的分類及發(fā)展歷程，主要包括功率半導(dǎo)體器件這個(gè)“大家族”的主要成員及各自的特點(diǎn)和發(fā)展歷程。第2部分介紹功率二極管，在傳統(tǒng)的功率二極管（肖特基二極管和PiN二極管）的基礎(chǔ)上，增加了JBS二極管和MPS二極管等新型單、雙極型二極管的內(nèi)容。第3部分介紹功率開關(guān)器件，主要分為傳統(tǒng)開關(guān)器件和現(xiàn)代開關(guān)器件，傳統(tǒng)開關(guān)器件以晶閘管為主，在此基礎(chǔ)上，介紹以GTO晶閘管為主的派生器件；現(xiàn)代功率開關(guān)器件以功率MOSFET和IGBT為主。第4部分為功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用綜述，以脈沖寬度調(diào)制（PWM）為例說明如何根據(jù)器件的額定電壓和電路的開關(guān)頻率選擇適合應(yīng)用的很好器件。本書適合電子科學(xué)、電力電子及電氣傳動、半導(dǎo)體及集成電路等專業(yè)技術(shù)人員參考，也可作為相關(guān)專業(yè)本科生及研究生教材。本書配有教學(xué)視頻（掃描書中二維碼直接觀看）及電子課件等教學(xué)資源，需要配套資源的教師可登錄機(jī)械工業(yè)出版社教育服務(wù)網(wǎng)www.cmpedu.com免費(fèi)注冊后下載。
功率半導(dǎo)體器件 目錄
前言
第1章緒論1
11電力電子器件和電力電子學(xué)1
12功率半導(dǎo)體器件的定義1
13功率半導(dǎo)體器件的種類2
14功率整流管3
141單極型功率二極管3
142雙極型功率二極管4
15功率半導(dǎo)體開關(guān)器件5
151晶閘管類功率半導(dǎo)體器件5
152雙極型功率晶體管7
153功率MOSFET7
154IGBT8
16硅功率集成電路9
17碳化硅功率開關(guān)11
18功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展12
181功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展歷程12
182功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展趨勢12
參考文獻(xiàn)13
第2章單極型功率二極管14
21功率肖特基二極管14
211功率肖特基二極管的結(jié)構(gòu)14
212正向?qū)顟B(tài)15
213反向阻斷特性18
22結(jié)勢壘控制肖特基（JBS）二極管20
221JBS二極管的結(jié)構(gòu)20
222正向?qū)Ｐ?2
223反向漏電流模型30
23溝槽肖特基勢壘控制肖特基（TSBS）二極管43
24溝槽MOS勢壘控制肖特基（TMBS）二極管44
參考文獻(xiàn)46
第3章雙極型功率二極管47
31PiN二極管的結(jié)構(gòu)與靜態(tài)特性47
311PiN二極管的結(jié)構(gòu)47
312PiN二極管的反向耐壓特性48
313PiN二極管通態(tài)特性49
32碳化硅PiN二極管59
33PiN二極管的動態(tài)特性60
331PiN二極管的開關(guān)特性61
332PiN二極管的動態(tài)反向特性63
34PiN二極管反向恢復(fù)過程中電流的瞬變67
35現(xiàn)代PiN二極管的設(shè)計(jì)70
351有軸向載流子壽命分布的二極管70
352SPEED結(jié)構(gòu)72
36MPS二極管73
361MPS二極管的工作原理74
362碳化硅MPS整流器91
363反向阻斷特性99
364開關(guān)特性107
參考文獻(xiàn)109
第4章晶閘管110
41概述110
411晶閘管基本結(jié)構(gòu)和基本特性110
412基本工作原理112
42晶閘管的耐壓能力113
421PNPN結(jié)構(gòu)的反向轉(zhuǎn)折電壓113
422PNPN結(jié)構(gòu)的正向轉(zhuǎn)折電壓115
423晶閘管的高溫特性117
43晶閘管*佳阻斷參數(shù)的確定119
431*佳正、反向阻斷參數(shù)的確定119
432λ因子設(shè)計(jì)法121
433關(guān)于阻斷參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)法的討論123
434P2區(qū)相關(guān)參數(shù)的估算124
435表面耐壓和表面造型126
44晶閘管的門極特性與門極參數(shù)的計(jì)算128
441晶閘管的觸發(fā)方式128
442門極參數(shù)131
443門極觸發(fā)電流、觸發(fā)電壓的計(jì)算132
444中心放大門極觸發(fā)電流、電壓的計(jì)算134
45晶閘管的通態(tài)特性137
451通態(tài)特征分析137
452計(jì)算晶閘管正向壓降的模型138
453正向壓降的計(jì)算140
46晶閘管的動態(tài)特性144
461晶閘管的導(dǎo)通過程與特性144
462通態(tài)電流臨界上升率152
463斷態(tài)電壓臨界上升率155
464關(guān)斷特性157
47晶閘管的派生器件162
471快速晶閘管163
472雙向晶閘管164
473逆導(dǎo)晶閘管169
474門極關(guān)斷（GTO）晶閘管174
475門極換流晶閘管193
參考文獻(xiàn)194
第5章現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件195
51功率MOSFET195
511功率MOSFET的結(jié)構(gòu)195
512功率MOSFET的基本特性197
513VDMOSFET的導(dǎo)通電阻198
514VDMOSFET元胞的優(yōu)化203
515VDMOSFET阻斷電壓影響因素分析204
516功率MOSFET的開關(guān)特性205
52絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）210
521IGBT的基本結(jié)構(gòu)210
522IGBT的工作原理與輸出特性212
523IGBT的阻斷特性213
524IGBT的通態(tài)特性215
525IGBT的開關(guān)特性220
526擎住效應(yīng)226
參考文獻(xiàn)228
第6章功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用綜述229
61典型H橋拓?fù)?30
62低直流總線電壓下的應(yīng)用232
63中等直流總線電壓下的應(yīng)用234
64高直流總線電壓下的應(yīng)用235
參考文獻(xiàn)237
第1章緒論1
11電力電子器件和電力電子學(xué)1
12功率半導(dǎo)體器件的定義1
13功率半導(dǎo)體器件的種類2
14功率整流管3
141單極型功率二極管3
142雙極型功率二極管4
15功率半導(dǎo)體開關(guān)器件5
151晶閘管類功率半導(dǎo)體器件5
152雙極型功率晶體管7
153功率MOSFET7
154IGBT8
16硅功率集成電路9
17碳化硅功率開關(guān)11
18功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展12
181功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展歷程12
182功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展趨勢12
參考文獻(xiàn)13
第2章單極型功率二極管14
21功率肖特基二極管14
211功率肖特基二極管的結(jié)構(gòu)14
212正向?qū)顟B(tài)15
213反向阻斷特性18
22結(jié)勢壘控制肖特基（JBS）二極管20
221JBS二極管的結(jié)構(gòu)20
222正向?qū)Ｐ?2
223反向漏電流模型30
23溝槽肖特基勢壘控制肖特基（TSBS）二極管43
24溝槽MOS勢壘控制肖特基（TMBS）二極管44
參考文獻(xiàn)46
第3章雙極型功率二極管47
31PiN二極管的結(jié)構(gòu)與靜態(tài)特性47
311PiN二極管的結(jié)構(gòu)47
312PiN二極管的反向耐壓特性48
313PiN二極管通態(tài)特性49
32碳化硅PiN二極管59
33PiN二極管的動態(tài)特性60
331PiN二極管的開關(guān)特性61
332PiN二極管的動態(tài)反向特性63
34PiN二極管反向恢復(fù)過程中電流的瞬變67
35現(xiàn)代PiN二極管的設(shè)計(jì)70
351有軸向載流子壽命分布的二極管70
352SPEED結(jié)構(gòu)72
36MPS二極管73
361MPS二極管的工作原理74
362碳化硅MPS整流器91
363反向阻斷特性99
364開關(guān)特性107
參考文獻(xiàn)109
第4章晶閘管110
41概述110
411晶閘管基本結(jié)構(gòu)和基本特性110
412基本工作原理112
42晶閘管的耐壓能力113
421PNPN結(jié)構(gòu)的反向轉(zhuǎn)折電壓113
422PNPN結(jié)構(gòu)的正向轉(zhuǎn)折電壓115
423晶閘管的高溫特性117
43晶閘管*佳阻斷參數(shù)的確定119
431*佳正、反向阻斷參數(shù)的確定119
432λ因子設(shè)計(jì)法121
433關(guān)于阻斷參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)法的討論123
434P2區(qū)相關(guān)參數(shù)的估算124
435表面耐壓和表面造型126
44晶閘管的門極特性與門極參數(shù)的計(jì)算128
441晶閘管的觸發(fā)方式128
442門極參數(shù)131
443門極觸發(fā)電流、觸發(fā)電壓的計(jì)算132
444中心放大門極觸發(fā)電流、電壓的計(jì)算134
45晶閘管的通態(tài)特性137
451通態(tài)特征分析137
452計(jì)算晶閘管正向壓降的模型138
453正向壓降的計(jì)算140
46晶閘管的動態(tài)特性144
461晶閘管的導(dǎo)通過程與特性144
462通態(tài)電流臨界上升率152
463斷態(tài)電壓臨界上升率155
464關(guān)斷特性157
47晶閘管的派生器件162
471快速晶閘管163
472雙向晶閘管164
473逆導(dǎo)晶閘管169
474門極關(guān)斷（GTO）晶閘管174
475門極換流晶閘管193
參考文獻(xiàn)194
第5章現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件195
51功率MOSFET195
511功率MOSFET的結(jié)構(gòu)195
512功率MOSFET的基本特性197
513VDMOSFET的導(dǎo)通電阻198
514VDMOSFET元胞的優(yōu)化203
515VDMOSFET阻斷電壓影響因素分析204
516功率MOSFET的開關(guān)特性205
52絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）210
521IGBT的基本結(jié)構(gòu)210
522IGBT的工作原理與輸出特性212
523IGBT的阻斷特性213
524IGBT的通態(tài)特性215
525IGBT的開關(guān)特性220
526擎住效應(yīng)226
參考文獻(xiàn)228
第6章功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用綜述229
61典型H橋拓?fù)?30
62低直流總線電壓下的應(yīng)用232
63中等直流總線電壓下的應(yīng)用234
64高直流總線電壓下的應(yīng)用235
參考文獻(xiàn)237
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