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新型光譜硅材料的制備及其光電性能研究

包郵 新型光譜硅材料的制備及其光電性能研究

作者：劉德偉
出版社：原子能出版社出版時(shí)間：2021-05-01
開本： 16開 頁(yè)數(shù)： 232
中 圖 價(jià):¥12.9(3.7折) 定價(jià)  ¥35.0 登錄后可看到會(huì)員價(jià)
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新型光譜硅材料的制備及其光電性能研究 版權(quán)信息

新型光譜硅材料的制備及其光電性能研究 內(nèi)容簡(jiǎn)介

本書介紹了硅材料的結(jié)構(gòu)與性能、分類及應(yīng)用、主要制備技術(shù)及工藝，重點(diǎn)對(duì)太陽(yáng)能電池、探測(cè)器等硅基光電子器件的結(jié)構(gòu)與原理做了闡述，在此基礎(chǔ)上分析了新型廣譜硅材料的特點(diǎn)、結(jié)構(gòu)、光電性能、研究現(xiàn)狀及其在光電子器件方面的應(yīng)用。本書中作者圍繞硫族元素超飽和摻雜硅材料的制備、結(jié)構(gòu)、特性、超飽和硫摻雜硅探測(cè)器與太陽(yáng)能電池的研制及性能等方面開展了系列研究工作，并在相關(guān)實(shí)驗(yàn)及研究成果的基礎(chǔ)上，對(duì)新型廣譜硅材料的相關(guān)后續(xù)研究提出了一些意見和建議。

新型光譜硅材料的制備及其光電性能研究 目錄

第1章 硅材料概述
1.1 引言
1.2 硅材料的結(jié)構(gòu)與性能
1.3 硅材料的分類
1.4 硅材料的制備技術(shù)
1.5 硅材料的應(yīng)用
第2章 硅基光電子器件及原理
2.1 硅基光電子器件
2.2 硅基太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)與原理
2.3 硅基光電探測(cè)器的結(jié)構(gòu)與原理
2.4 硅材料中的能級(jí)理論
第3章 新型廣譜硅材料
3.1 引言
3.2 新型廣譜硅材料的特點(diǎn)
3.3 硅材料的超飽和摻雜
3.4 新型廣譜硅材料的研究現(xiàn)狀
第4章 制備新型廣譜硅材料的實(shí)驗(yàn)設(shè)備
4.1 高能離子注入機(jī)
4.2 激光輻照系統(tǒng)
4.3 管式爐退火設(shè)備
4.4 超快熱處理設(shè)備
第5章 新型廣譜硅材料的激光制備方法
5.1 脈沖激光與硅表面的相互作用
5.2 皮秒脈沖激光制備方法
5.3 飛秒脈沖激光制備方法
第6章 新型廣譜硅材料的離子注入制備方法
6.1 離子注入模型
6.2 管式爐退火
6.3 超快熱處理退火
6.4 飛秒脈沖激光退火
6.5 皮秒脈沖激光退火
6.6 準(zhǔn)分子激光退火
6.7 CO2激光退火
第7章 新型廣譜硅材料的結(jié)構(gòu)與性能表征
7.1 掃描電子顯微鏡
7.2 透射電子顯微鏡
7.3 原子力顯微鏡
7.4 共聚焦拉曼光譜
7.5 光學(xué)性能測(cè)試
7.6 電流-電壓特性測(cè)試
7.7 霍爾效應(yīng)測(cè)試
7.8 光譜響應(yīng)測(cè)試
7.9 量子效率測(cè)試
第8章 皮秒激光輻照氣相摻雜硅材料的制備及性能分析
8.1 皮秒激光輻照氣相摻雜硅材料的制備
8.2 皮秒激光輻照氣相摻雜硅材料的形貌特征
8.3 皮秒激光輻照氣相摻雜硅材料的電學(xué)性能
8.4 皮秒激光輻照氣相摻雜硅材料的光學(xué)性能
8.5 皮秒激光輻照氣相摻雜硅材料的拉曼光譜
第9章 離子注入激光輻照硅材料的制備與性能分析
9.1 離子注入激光輻照硅材料的制備
9.2 離子注入硅材料的摻雜濃度隨深度的變化
9.3 離子注入硅材料的光吸收譜
9.4 皮秒激光輻照對(duì)硫離子注入硅材料光吸收率的影響
9.5 納秒準(zhǔn)分子激光輻照對(duì)硫離子注入硅材料光吸收率的影響
第10章 離子注入條件對(duì)廣譜硅材料結(jié)構(gòu)及性能的影響
10.1 離子注入條件對(duì)硫超飽和摻雜硅光吸收率的影響
10.2 離子注入條件對(duì)硒超飽和摻雜硅結(jié)構(gòu)及光吸收率的影響
10.3 離子注入條件對(duì)碲超飽和摻雜硅形貌及光電性能的影響
第11章 二次退火對(duì)超飽和摻雜硅材料光吸收率的影響
11.1 管式爐二次退火對(duì)材料光吸收率的影響
11.2 快速二次退火對(duì)材料光吸收率的影響
11.3 納秒準(zhǔn)分子激光二次退火對(duì)材料光吸收率的影響
11.4 離子注入激光輻照硅材料的電學(xué)性能
11.5 離子注入激光輻照硅材料的拉曼光譜
第12章 退火工藝對(duì)廣譜硅材料結(jié)構(gòu)及光電性能的影響
12.1 管式爐退火對(duì)超飽和摻雜硅微結(jié)構(gòu)及光電性能的影響
12.2 快速熱退火對(duì)超飽和摻雜硅微結(jié)構(gòu)及光電性能的影響
12.3 納秒激光退火對(duì)超飽和摻雜硅微結(jié)構(gòu)及光電性能的影響
12.4 皮秒激光退火對(duì)超飽和摻雜硅微結(jié)構(gòu)及光電性能的影響
12.5 廣譜硅材料微結(jié)構(gòu)與光電性能的關(guān)聯(lián)及調(diào)控機(jī)理
第13章 皮秒激光氣相摻雜硅探測(cè)器的研制與性能分析
13.1 皮秒激光輻照氣相摻雜硅探測(cè)器的研制
13.2 皮秒激光輻照氣相摻雜P型硅探測(cè)器的性能分析
13.3 皮秒激光輻照氣相摻雜N型硅探測(cè)器的性能分析
第14章 離子注入激光輻照硅探測(cè)器的研制與性能分析
14.1 離子注入激光輻照硅探測(cè)器的研制
14.2 離子注入皮秒激光輻照硅探測(cè)器的性能分析
14.3 離子注入脈沖激光輻照及二次退火硅探測(cè)器的性能分析
14.4 超飽和摻雜硅探測(cè)器的紅外響應(yīng)與增益機(jī)理
14.5 本章小結(jié)
第15章 超飽和硫摻雜硅太陽(yáng)能電池的研制及其性能分析
15.1 超飽和硫摻雜硅太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)
15.2 超飽和硫摻雜硅太陽(yáng)能電池工藝流程
15.3 超飽和硫摻雜硅太陽(yáng)能電池性能分析
15.4 超飽和硫摻雜硅太陽(yáng)能電池的總結(jié)與展望
第16章 總結(jié)
參考文獻(xiàn)
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新型光譜硅材料的制備及其光電性能研究 作者簡(jiǎn)介

劉德偉，漢族，1979年生，河南濮陽(yáng)人。2012年畢業(yè)于中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)，獲工學(xué)博士學(xué)位。現(xiàn)為鄭州輕工業(yè)大學(xué)副教授、碩士研究生導(dǎo)師，主要從事光電材料與器件、新能源材料與器件、正電子譜學(xué)等方面的研究工作。

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