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碳化硅電力電子器件原理與應(yīng)用 版權(quán)信息
- ISBN：9787512431881
- 條形碼：9787512431881 ; 978-7-5124-3188-1
- 裝幀：平裝-膠訂
- 冊數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
碳化硅電力電子器件原理與應(yīng)用 本書特色
本書介紹了碳化硅半導(dǎo)體電力電子器件的原理、特性和應(yīng)用,概括了這一領(lǐng)域近十年來的主要研究進展,內(nèi)容包括:多種類型碳化硅器件的原理與特性,典型碳化硅器件的驅(qū)動電路原理與設(shè)計方法,碳化硅基變換器的擴容方法,碳化硅器件在不同領(lǐng)域和不同變換器中的應(yīng)用實例分析,以及碳化硅基變換器的性能制約因 素和關(guān)鍵問題。 本書可作為高等院校電力電子技術(shù)、電機驅(qū)動技術(shù)和新能源技術(shù)等專業(yè)的本科生、研究生和教師的參考書,也可供從事碳化硅半導(dǎo)體器件研制和測試的工程技術(shù)人員,以及應(yīng)用碳化硅半導(dǎo)體器件研制高性能電力電子裝置的工程技術(shù)人員參考。
碳化硅電力電子器件原理與應(yīng)用 內(nèi)容簡介
本書介紹了碳化硅半導(dǎo)體電力電子器件的原理、特性和應(yīng)用, 概括了這一領(lǐng)域近十年的主要研究進展。內(nèi)容包括: 多種類型碳化硅器件的原理與特性 ; 典型碳化硅器件的驅(qū)動電路原理與設(shè)計方法 ; 碳化硅基變換器的擴容方法 ; 碳化硅器件在不同領(lǐng)域和不同變換器中的應(yīng)用實例分析 ; 以及碳化硅基變換器性能制約因素和關(guān)鍵問題。
碳化硅電力電子器件原理與應(yīng)用 目錄
第1章 緒論
1.1 高性能電力電子裝置的發(fā)展要求
1.2 Si基電力電子器件的限制
1.3 SiC材料特性
1.4 SiC基電力電子器件的現(xiàn)狀與發(fā)展
參考文獻
第2章 SiC器件的原理與特性
2.1 SiC二極管的特性與參數(shù)
2.1.1 中低壓SiC肖特基二極管的特性與參數(shù)
2.1.2 高壓SiC肖特基二極管的特性與參數(shù)
2.1.3 SiC PiN二極管的特性與參數(shù)
2.1.4 耐高溫SiC肖特基二極管的特性與參數(shù)
2.1.5 SiC二極管小結(jié)
2.2 SiC MOSFET的特性與參數(shù)
2.2.1 900~1700V SiC MOSFET的特性與參數(shù)
2.2.2 高壓SiCMOSFET的特性與參數(shù)
2.2.3 SiC MOSFET模塊的特性與參數(shù)
2.3 SiCJFET的特性與參數(shù)
2.3.1 耗盡型SiCJFET的特性與參數(shù)
2.3.2 增強型SiCJFET的特性與參數(shù)
2.3.3 Cascode SiC JFET的特性與參數(shù)
2.3.4 中壓SiCJFET的特性與參數(shù)
2.4 SiC SIT的特性與參數(shù)
2.4.1 導(dǎo)通特性及其參數(shù)
2.4.2 阻態(tài)特性及其參數(shù)
2.4.3 開關(guān)特性及其參數(shù)
2.5 .SiC BJT的特性與參數(shù)
2.5.11.2 kVSiC BJT的特性與參數(shù)
2.5.2 高壓SiCBJT的特性與參數(shù)
2.5.3 耐高溫SiCBJT的特性與參數(shù)
2.5.4 SiCBJT模塊的特性與參數(shù)
2.6 SiCIGBT的特性與參數(shù)
2.7 SiC晶閘管的特性與參數(shù)
2.7.1 SiCGTO的特性與參數(shù)
2.7.2 SiC ETO的特性與參數(shù)
2.8 現(xiàn)階段SiC器件的不足
2.8.1 廠家數(shù)據(jù)手冊的不足
2.8.2 價格因素
2.8.3 其他因素
2.9 小結(jié)
參考文獻
第3章 SiC器件驅(qū)動電路原理與設(shè)計
3.1 SiC MOSFET的驅(qū)動電路原理與設(shè)計
3.1.1 SiC MOSFET的開關(guān)過程及對驅(qū)動電路的要求
3.1.2 單管變換器中SiC MOSFET的驅(qū)動電路
3.1.3 橋式變換器中SiC MOSFET的驅(qū)動電路
3.2 SiCJFET的驅(qū)動電路原理與設(shè)計
3.2.1 耗盡型SiCJFET的驅(qū)動電路原理與設(shè)計
3.2.2 增強型SiCJFET的驅(qū)動電路原理與設(shè)計
3.2.3 Cascode SiCJFET的驅(qū)動電路原理與設(shè)計
3.2.4 直接驅(qū)動SiCJFET的驅(qū)動電路原理與設(shè)計
3.3 SiC SIT的驅(qū)動電路原理與設(shè)計
3.3.1 兩電平驅(qū)動方法
3.3.2 三電平驅(qū)動方法
3.3.3 變電平驅(qū)動方法
3.4 SiC BJT的驅(qū)動電路原理與設(shè)計
3.4.1 SiCBJT的損耗分析及對驅(qū)動電路的要求
3.4.2 驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)對SiCBJT開關(guān)性能的影響分析
3.4.3 帶加速電容的單電源驅(qū)動電路
3.4.4 雙電源驅(qū)動電路
3.5 SiCIGBT的驅(qū)動電路原理與設(shè)計
3.5.1 SiC IGBT對驅(qū)動電路的要求
3.5.2 SiC IGBT的驅(qū)動電路設(shè)計
3.6 SiC器件短路特性與保護
3.6.1 SiC器件短路故障模式
3.6.2 SiC器件短路特性與機理分析
3.6.3 SiC器件短路特性影響因素
3.6.4 SiC器件短路保護要求
3.6.5 短路檢測方法
3.6.6 SiC器件短路保護設(shè)計
3.6.7 兩種短路保護方法測試結(jié)果對比分析
3.6.8 三種SiC器件的短路特性與短路保護測試分析
3.7 SiC模塊驅(qū)動保護方法
3.7.1 SiC模塊短路保護的難點
3.7.2 SiC模塊短路電流的檢測方法
3.7.3 SiC模塊驅(qū)動電路的保護功能
3.8 小結(jié)
參考文獻
第4章 SiC基變換器的擴容方法
4.1 SiC器件的并聯(lián)
4.1.1 器件參數(shù)不匹配對均流的影響
4.1.2 電路參數(shù)不匹配對均流的影響
4.1.3 DBC布線不匹配對多芯片并聯(lián)均流的影響
4.1.4 并聯(lián)均流控制方法
4.1.5 功率模塊并聯(lián)
4.2 SiC/Si可控器件混合并聯(lián)
4.3 SiC基變換器并聯(lián)
4.3.1 交錯并聯(lián)SiC基變換器
4.3.2 內(nèi)置交錯并聯(lián)橋臂的SiC基變換器
4.3.3 器件并聯(lián)和變換器并聯(lián)的優(yōu)化設(shè)計
4.4 SiC器件的串聯(lián)
4.4.1 同類型SiC器件串聯(lián)
4.4.2 不同類型器件串聯(lián)
4.5 SiC基變換器的組合擴容
4.6 小結(jié)
參考文獻
第5章 SiC器件在電力電子變換器中的應(yīng)用
5.1 不同類型器件組合的應(yīng)用
5.1.1 Si/SiC混合功率器件在變換器中的應(yīng)用
5.1.2 全SiC器件在變換器中的應(yīng)用
5.2 SiC器件在典型領(lǐng)域中的應(yīng)用
5.2.1 SiC器件在電動汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用
5.2.2 SiC器件在光伏發(fā)電領(lǐng)域中的應(yīng)用
5.2.3 SiC器件在照明領(lǐng)域中的應(yīng)用
5.2.4 SiC器件在家電領(lǐng)域中的應(yīng)用
5.2.5 SiC器件(寬禁帶器件）在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域中的應(yīng)用
5.2.6 SiC器件在航空領(lǐng)域中的應(yīng)用
5.3 SiC器件在不同種類變換器中的應(yīng)用
5.3.1 SiC基DC/DC變換器
5.3.2 SiC基AC/DC變換器
5.3.3 SiC基DC/AC變換器
5.3.4 SiC基AC/AC變換器
5.3.5 SiC基固態(tài)開關(guān)
5.4 小結(jié)
參考文獻
第6章 SiC基變換器性能制約因素與關(guān)鍵問題
6.1 SiC器件高速開關(guān)的限制因素
6.1.1 寄生電感的影響
6.1.2 寄生電容的影響
6.1.3 驅(qū)動電路驅(qū)動能力的影響
6.1.4 電壓、電流的檢測問題
6.1.5 長電纜電壓的反射問題
6.1.6 EMI問題
6.1.7 高壓局部放電問題
6.2 先進封裝技術(shù)
6.2.1 傳統(tǒng)封裝技術(shù)的限制
6.2.2 新型封裝結(jié)構(gòu)
6.2.3 封裝材料的選擇
6.3 高溫變換器
6.3.1 高溫變換器設(shè)計
6.3.2 高溫變換器測試
6.4 多目標(biāo)優(yōu)化設(shè)計
6.4.1 變換器現(xiàn)有設(shè)計方法存在的不足
6.4.2 SiC基變換器參數(shù)優(yōu)化設(shè)計思路
6.5 小結(jié)
參考文獻
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碳化硅電力電子器件原理與應(yīng)用 作者簡介
秦海鴻，男，博士，副教授，研究方向：新能源電力電子變換技術(shù)、電動飛機先進驅(qū)動技術(shù)、寬禁帶半導(dǎo)體器件應(yīng)用技術(shù)。參與及承擔(dān)國家自然科學(xué)基金重點項目、面上項目、863項目、973項目、教育部博士點基金、上海市教委基金、航空廠所及相關(guān)企業(yè)合作項目等多項課題研究任務(wù)。在國內(nèi)外學(xué)術(shù)期刊和會議上發(fā)表學(xué)術(shù)論文80余篇。出版專著《多電飛機的電氣系統(tǒng)》（“十二五”工信部規(guī)劃專著）、《碳化硅電力電子器件原理與應(yīng)用》、《氮化鎵電力電子器件原理與應(yīng)用》、《混合勵磁電機的結(jié)構(gòu)與原理》及研究生精品教材《現(xiàn)代交流調(diào)速技術(shù)》。在職學(xué)習(xí)及工作經(jīng)歷包括：2009-2010，美國馬里蘭大學(xué)高級訪問學(xué)者；2010-2013，南自通華電器集團企業(yè)博士后；2014年，成飛工程實踐暑期進修；2018年，西飛工程實踐暑期進修；2019-2020，英國諾丁漢大學(xué)國家公派訪問學(xué)者。擔(dān)任南京航空航天大學(xué)“新能源發(fā)電大學(xué)生示范主題創(chuàng)新區(qū)”負責(zé)人，獲得南京航空航天大學(xué)校級教學(xué)成果獎一等獎2次、校級教學(xué)優(yōu)秀二等獎2次、校級微課建設(shè)團隊比賽一等獎1次、江蘇省微課競賽二等獎、南京航空航天大學(xué)“十二五本科教學(xué)建設(shè)先鋒”榮譽稱號、國防科學(xué)技術(shù)獎三等獎1次；擔(dān)任江蘇省電子學(xué)會電源專業(yè)委員會秘書長、中國電源學(xué)會高級會員、以及IEEE Transactions on Power Electronics,《中國電機工程學(xué)報》、《南京航空航天大學(xué)學(xué)報》、《電源學(xué)報》等期刊的審稿專家。
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