譯者序
第3版序言

第1章 電阻率
1．1 引言
1．2 兩探針與四探針?lè)?br>1．2．1 修正因子
1．2．2 任意形狀樣品的電阻率
1．2．3 測(cè)量電路
1．2．4 測(cè)量誤差和注意事項(xiàng)
1．3 晶片圖
1．3．1 雙注入
1．3．2 調(diào)制光反射
1．3．3 載流子光照（CI）
1．3．4 光學(xué)密度測(cè)定（光密度計(jì)）
1．4 電阻壓型
1．4．1 微分霍爾效應(yīng)（DHE）
1．4．2 擴(kuò)散電阻壓型（SRP）
1．5 非接觸測(cè)試方法
1．5．1 渦旋電流
1．6 導(dǎo)電類型
1．7 優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)
附錄1．1 電阻率隨摻雜濃度的變化
附錄1．2 本征載流子濃度
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
復(fù)習(xí)題

第2章 載流子與摻雜濃度
2．1 引言
2．2 電容-電壓特性（C-V）
2．2．1 微分電容
2．2．2 能帶偏移
2．2．3 *大-*小MOS-C電容
2．2．4 積分電容
2．2．5 汞探針接觸
2．2．6 電化學(xué)C-V測(cè)試儀（ECV）
2．3 電容-電壓（I-V）
2．3．1 MOSFET襯底電壓-柵極電壓
2．3．2 MOSFET閾值電壓
2．3．3 擴(kuò)散電阻
2．4 測(cè)量誤差及注意事項(xiàng)
2．4．1 德拜長(zhǎng)度和電壓擊穿
2．4．2 串聯(lián)電阻
2．4．3 少數(shù)載流子和界面陷阱
2．4．4 二極管邊緣電容和雜散電容
2．4．5 過(guò)剩漏電流
2．4．6 深能級(jí)雜質(zhì)／陷阱
2．4．7 半絕緣襯底
2．4．8 儀器限制
2．5 霍爾效應(yīng)
2．6 光學(xué)技術(shù)
2．6．1 等離子體共振
2．6．2 自由載流子吸收
2．6．3 紅外光譜學(xué)
2．6．4 光致發(fā)光
2．7 二次離子質(zhì)譜分析法（SIMS）
2．8 盧瑟福背散射（RBS）
2．9 橫向分布
2．10 優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)
附錄2．1 并聯(lián)或串聯(lián)連接
附錄2．2 電路轉(zhuǎn)換
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
復(fù)習(xí)題

第3章 接觸電阻和肖特基勢(shì)壘
第4章 串聯(lián)電阻，溝道長(zhǎng)度與寬度，閾值電壓
第5章 缺陷
第6章 柵氧電荷、界面陷阱電荷和柵氧厚度
第7章 載流子壽命
第8章 遷移率
第9章 基于電荷和探針的表征技術(shù)
第10章 光學(xué)表征
第11章 化學(xué)和物理表征
第12章 可靠性和失效分析
附錄1 符號(hào)表
附錄2 術(shù)語(yǔ)與縮寫
索引