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晶體生長模型及缺陷表征-晶體生長手冊-第5冊-(影印版) 版權信息
- ISBN：9787560338705
- 條形碼：9787560338705 ; 978-7-5603-3870-5
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
晶體生長模型及缺陷表征-晶體生長手冊-第5冊-(影印版) 本書特色
《springer手冊精選系列·晶體生長手冊（第5冊）：晶體生長模型及缺陷表征（影印版）》介紹了生長工藝和缺陷形成的模型。這些章節驗證了工藝參數和產生晶體質量問題包括缺陷形成的直接相互作用關系。隨后的partg展示了結晶材料特性和分析的發展。partf和g說明了預測工具和分析技術在幫助高質量的大尺寸晶體生長工藝的設計和控制方面是非常好用的。
晶體生長模型及缺陷表征-晶體生長手冊-第5冊-(影印版) 內容簡介
《Springer手冊精選系列·晶體生長手冊（第5冊）：晶體生長模型及缺陷表征（影印版）》介紹了生長工藝和缺陷形成的模型。這些章節驗證了工藝參數和產生晶體質量問題包括缺陷形成的直接相互作用關系。隨后的PartG展示了結晶材料特性和分析的發展。PartF和G說明了預測工具和分析技術在幫助高質量的大尺寸晶體生長工藝的設計和控制方面是非常好用的。
晶體生長模型及缺陷表征-晶體生長手冊-第5冊-(影印版) 目錄
縮略語
partf 晶體生長及缺陷模型
36 熔體生長晶體體材料的傳導和控制
36.1 運輸過程的物理定律
36.2 熔體的流動結構
36.3 外力對流動的控制
36.4 前景
參考文獻
37 ⅲ族氮化物的氣相生長
37.1 ⅲ族氮化物的氣相生長概述
37.2 ain/gan氣相淀積的數學模型
37.3 氣相淀積ain/gan的表征
37.4 gan的ivpe生長模型——個案研究
37.5 氣相gan/ain膜生長的表面形成
37.6 結語
參考文獻
38 生長直拉硅晶體中連續尺寸量子缺陷動力學
38.1 微缺陷的發現
38.2 無雜質時的缺陷動力學
38.3 有氧時的直拉缺陷動力學
38.4 有氮時的直拉缺陷動力學
38.5 直拉硅單晶中空位的橫向合并
38.6 結論
參考文獻
39 熔體基底化合物晶體生長中應力和位錯產生的模型
39.1 綜述
39.2 晶體生長過程
39.3 半導體材料的位錯分布
39.4 位錯產生的模型
39.5 晶體的金剛石結構
39.6 半導體的變形特性
39.7 haasen模型對晶體生長的應用
39.8 替代模式
39.9 模型概述和數值實現
39.1 0數值結果
39.1 1總結
參考文獻
40 bs和efg系統中的質量和熱量傳輸
40.1 雜質分布的基預測模型——垂直bs系統
40.2 雜質分布的基預測模型-efg系統
參考文獻
partg 缺陷表征及技術
41晶體層結構的x射線衍射表征
41.1 x射線衍射
41.2 層結構的基本直接x射線衍射分析
41.3 設備和理論思考
41.4 從低到高的復雜性分析實例
41.5 快速分析
41.6 薄膜微映射
41.7 展望
參考文獻
42 晶體缺陷表征的x射線形貌技術
42.1 x射線形貌的基本原則
42.2 x射線形貌技術的發展歷史
42.3 x射線形貌技術和幾何學
42.4 x射線形貌技術理論背景
42.5 x射線形貌上缺陷的對比原理
42.6 x射線形貌上的缺陷分析
42.7 目前的應用狀況和發展
參考文獻
……
43 半導體的缺陷選擇性刻蝕
44 晶體的透射電子顯微鏡表征
45 點缺陷的電子自旋共振表征
46 半導體缺陷特性的正電子湮沒光譜表征
展開全部
晶體生長模型及缺陷表征-晶體生長手冊-第5冊-(影印版) 相關資料
施普林格的手冊，一貫全面闡述基礎理論，提供可靠的研究方法和關鍵知識皮及大量的參考文獻，介紹最新的應用實例，前瞻學科的發展方向。手冊作者多為世界首席專家或知名學者。手冊具有極大的實用性，其表格、圖標、索引等更增加了它的使用價值。 ——《springer手冊精選系列》推薦委員會
晶體生長模型及缺陷表征-晶體生長手冊-第5冊-(影印版) 作者簡介
Govindhan Dhanaraj is the Manager of Crystal Growth Technologies at Advanced Renewable Energy Company （ARC Energy） at Nashua， New Hampshire （USA） focusing on the growth of large size sapphire crystals for LED lighting applications， characterization and related crystal growth furnace development. He received his PhD from the Indian Institute of Science， Bangalore and his Master of Science from Anna University （India）. Immediately after his doctoral degree， Dr. Dhanaraj joined a National Laboratory， presently known as Rajaramanna Center for Advanced Technology in India， where he established an advanced Crystal Growth Laboratory for the growth of optical and laser crystals. Prior to joining ARC Energy， Dr. Dhanaraj served as a Research Professor at the Department of Materials Science and Engineering， Stony Brook University， NY， and also held a position of Research Assistant Professor at Hampton University， VA. During his 25 years of focused expertise in crystal growth research， he has developed optical， laser and semiconductor bulk crystals and SiC epitaxial films using solution， flux， Czochralski， Bridgeman， gel and vapor methods， and characterized them using x-ray topography， synchrotron topography， chemical etching and optical and atomic force microscopic techniques. He co-organized a symposium on Industrial Crystal Growth under the 17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy in conjunction with the 14th US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy held at Lake Geneva， WIin 2009. Dr. Dhanaraj has delivered invited lectures and also served as session chairman in many crystal growth and materials science meetings. He has published over 100 papers and his research articles have attracted over 250 rich citations.
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