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Tio2納米管陣列的沉積改性與物性研究 版權(quán)信息
- ISBN：9787565007088
- 條形碼：9787565007088 ; 978-7-5650-0708-8
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊(cè)數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
Tio2納米管陣列的沉積改性與物性研究 本書特色
盤榮俊、吳玉程所著的《TiO2納米管陣列的沉積改性與物性研究》從有利于后續(xù)功能化改性的納米管陣列的制備出發(fā)，通過掌握CdS及CdSe在TiO2納米管內(nèi)的沉積機(jī)理，實(shí)現(xiàn)其在納米管內(nèi)的可控沉積。然后將特定功函的金屬沉積在CdSe／CdS／TiO2材料上。改性過程將窄帶半導(dǎo)體材料的可控沉積、改性成分長(zhǎng)效保護(hù)、異質(zhì)結(jié)／Schottky結(jié)等多重技術(shù)結(jié)合起來，探求TiO2納米管陣列改性材料的性能與各相關(guān)參數(shù)的關(guān)系及其電荷傳輸機(jī)制，將為納米TiO2光催化劑、光電轉(zhuǎn)換器件等的發(fā)展開辟一個(gè)新的方向，為設(shè)計(jì)和制備具有良好光電轉(zhuǎn)換性能、光催化性能的器件和新型功能薄膜提供依據(jù)。
Tio2納米管陣列的沉積改性與物性研究 內(nèi)容簡(jiǎn)介
本書共分六章，內(nèi)容包括緒論；陽極氧化電流密度對(duì)TiO2納米管陣列形貌的影響；CdS、CdSe在TiO2納米管內(nèi)的沉積機(jī)理與物性等。
Tio2納米管陣列的沉積改性與物性研究 目錄
第1章 緒論 1.1 引言 1.2 高度有序的TiO2納米管陣列薄膜的應(yīng)用 1.2.1 光電解水制氫 1.2.2 光催化 1.2.3 太陽能電池 1.2.4 傳感器 1.2.5 儲(chǔ)氫 1.2.6 生物醫(yī)學(xué) 1.2.7 其他 1.3 高度有序的TiO2納米管陣列薄膜的制備 1.3.1 模板法 1.3.1.1 以氧化鋁為模板 1.3.1.2 以納米線為模板 1.3.2 陽極氧化法 1.3.2.1 TiO2納米管陣列的形成機(jī)理 1.3.2.2 制備參數(shù)對(duì)TiO2納米管陣列結(jié)構(gòu)及性能的影響 1.4 高度有序的TiO2納米管陣列薄膜的改性 1.4.1 染料敏化 1.4.2 離子摻雜 1.4.2.1 非金屬離子摻雜 1.4.2.2 金屬離子摻雜 1.4.3 金屬沉積 1.4.4 窄帶半導(dǎo)體改性 1.4.4.1 CuO／Cu2O改性 1.4.4.2 Fe2O3改性 1.4.4.3 CdX(X=S、Se、Te)改性 1.5 本文研究?jī)?nèi)容和意義第2章 陽極氧化電流密度對(duì)Ti02納米管陣列形貌的影響 2.1 引言 2.2 實(shí)驗(yàn)材料與方法 2.2.1 實(shí)驗(yàn)原料、試劑及儀器 2.2.2 實(shí)驗(yàn)過程和技術(shù)路線 2.2.2.1 TiO2納米管陣列膜的制備 2.2.2.2 TiO2納米管陣列表征 2.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析 2.3.1 陽極氧電流密度對(duì)TiO2納米管陣列形貌的影響 2.3.2 TiO2納米管陣列的XRD分析 2.4 本章小結(jié)第3章 CdS、CdSe在TiO2納米管內(nèi)的沉積機(jī)理與物性 3.1 引言 3.2 實(shí)驗(yàn)材料與方法 3.2.1 實(shí)驗(yàn)原料、試劑及儀器 3.2.2 實(shí)驗(yàn)過程和技術(shù)路線 3.2.2.1 CdS在Ti02納米管內(nèi)沉積改性 3.2.2.2 CdSe在TiO2納米管內(nèi)沉積改性 3.3實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析 3.3.1 CdS在TiO2納米管內(nèi)沉積改性 3.3.1.1 浸漬時(shí)間對(duì)CdS形貌的影響 3.3.1.2 先期導(dǎo)入離子濃度對(duì)CdS形貌的影響 3.3.1.3 離子導(dǎo)入順序?qū)dS形貌的影響 3.3.1.4 洗滌對(duì)CdS形貌的影響 3.3.1.5 CdS形貌對(duì)改性納米陣列的光學(xué)性能的影響 3.3.1.6 CdS形貌對(duì)改性納米陣列的光電性能的影響 3.3.2 CdSe在TiO2納米管內(nèi)沉積改性及其性能 3.3.2.1 Se2-溶液中浸漬時(shí)間對(duì)CdSe形貌的影響 3.3.2.2 CdSe改性納米管陣列的光學(xué)性能 3.3.2.3 CdSe改性納米陣列的光電性能 3.4本章 小結(jié)第4章 Cds-CdSe在TiO2納米管內(nèi)可控共沉積及物性 4.1 引言 4.2 Cdse／CdS／TiO2納米復(fù)合功能材料的構(gòu)筑 4.2.1 合成工藝 4.2.2 參數(shù)控制 4.3 材料表征與性能檢測(cè) 4.3.1 改性材料微結(jié)構(gòu) 4.3.2 改性材料的光學(xué)性能 4.3.3 改性材料的光電性能 4.4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論 4.4.1 改性材料微結(jié)構(gòu) 4.4.1.1 CdS改性前后納米管陣列的微觀結(jié)構(gòu) 4.4.1.2 CdSe改性后的CdS／TiO2納米管微觀結(jié)構(gòu) 4.4.2 改性材料的光學(xué)性能 4.4.2.1 改性材料的UV-vis光譜分析 4.4.2.2 改性材料的光學(xué)能帶隙 4.4.3 改性材料的光電性能 4.4.3.1 改性材料的I-V曲線 4.4.3.2 改性材料的*大光電流與沉積層厚度的關(guān)系 4.4.3.3 改性材料的*大光電流與改性材料內(nèi)徑的關(guān)系 4.5 本章小結(jié)第5章 Pt在cdse／CdS／TiO2復(fù)合材料上的沉積及物性 5.1 引言 5.2 Pt改性復(fù)合材料制備工藝 5.2.1 實(shí)驗(yàn)原料 5.2.2 Pt-TiO2復(fù)合材料中Pt含量的設(shè)計(jì) 5.2.2.1 沉積電壓、時(shí)間對(duì)沉積過程的影響 5.2.2.2 Pt-TiO2體系中Pt含量的控制 5.2.2.3材料結(jié)構(gòu)表征與性能測(cè)試 5.2.3 Pt-CdSe／CdS／TiO2復(fù)合材料的制備 5.2.3.1 參數(shù)控制 5.2.3.2 材料結(jié)構(gòu)表征與性能測(cè)試 5.3實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論 5.3.1 沉積電壓、時(shí)間對(duì)Pt-TiO2納米管陣列性能的影響 5.3.1.1 Pt-TiO2納米管陣列的微觀結(jié)構(gòu) 5.3.1.2 Pt-TiO2納米管陣列的光學(xué)性能 5.3.1.3 Pt-TiO2納米管陣列的光電性能 5.3.1.4 不同負(fù)載方式對(duì)Pt-TiO2納米陣列性能的影響 5.3.2 Pt-CdSe／CdS／TiO2納米管陣列的表征 5.3.2.1 Pt-CdSe／CdS／TiO2材料的微觀結(jié)構(gòu) 5.3.2.2 Pt-CdSe／CdS／TiO2材料的光學(xué)性能 5.4 本章小結(jié)第6章 總結(jié)與展望 6.1 總結(jié) 6.2 創(chuàng)新之處 6.3 工作展望參考文獻(xiàn)
展開全部
Tio2納米管陣列的沉積改性與物性研究 作者簡(jiǎn)介
吳玉程，男，1962年出生，中國(guó)科學(xué)院理學(xué)博士，合肥工業(yè)大學(xué)副校長(zhǎng)，材料學(xué)教授、博士研究生導(dǎo)師，主要研究方向：納米材料與功能復(fù)合材料；材料表面與涂層技術(shù)。擔(dān)任教育部金屬材料工程和冶金工程教學(xué)指導(dǎo)委員會(huì)委員，中國(guó)儀表材料學(xué)會(huì)常務(wù)理事，中國(guó)顆粒學(xué)會(huì)超微顆粒委員會(huì)理事等。近年來指導(dǎo)博士后4人、博士研究生12人、碩士研究生20多人，先后主持了國(guó)家自然科學(xué)基金、國(guó)家留學(xué)回國(guó)人員啟動(dòng)基金、教育部博士點(diǎn)基金、國(guó)家重點(diǎn)新產(chǎn)品研究計(jì)劃和安徽省重大科技攻關(guān)等20多項(xiàng)項(xiàng)目研究，獲得安徽省科技進(jìn)步獎(jiǎng)、中國(guó)機(jī)械工業(yè)科技
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