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模擬電子技術 版權信息
- ISBN：7030224760
- 條形碼：9787030224767 ; 978-7-03-022476-7
- 裝幀：暫無
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
模擬電子技術 內容簡介
本書介紹了半導體器件的基本原理及使用方法；基本放大電路的組成，工作狀態及性能指標；功率放大電路的分類、特點及其應用等內容。
模擬電子技術 目錄
前言
第1章 半導體元件基礎
1.1 半導體常識
1.1.1 本征半導體
1.1.2 雜質半導體
1.1.3 PN結及其單向導電性
1.2 二極管
1.2.1 極管的結構及符號
1.2.2 二極管的伏安特性及主要參數
1.2.3 極管的測試
1.2.4 極管應用電路舉例
1.2.5 特殊二極管
1.3 半導體三極管
1.3.1 三極管的結構及符號
1.3.2 三極管的電流分配原則及放大作用
1.3.3 三極管的特性曲線及主要參數
1.3.4 三極管的檢測
1.3.5 特殊三極管
1.4 場效應管
1.4.1 結型場效應管
1.4.2 絕緣柵場效應管
1.4.3 各種場效應管的符號、電壓極性及特性曲線
1.4.4 場效應管的性能特點及檢測與選用
小結
習題
第2章 交流小信號放大器
2.1 放大器的基本組成
2.1.1 各元件的作用
2.1.2 電壓、電流等符號的規定
2.1.3 放大電路實現信號放大的實質
2.1.4 基本放大電路的組成原則
2.1.5 放大電路的主要性能指標
2.2 圖解分析法
2.2.1 靜態工作點Q
2.2.2 交流負載線
2.2.3 動態工作范圍
2.2.4 非線性失真
2.3 微變等效電路
2.3.1 三極管微變等效電路模型
2.3.2 共射放大器微變等效電路
2.4 靜態工作點穩定措施
2.4.1 溫度變化對Q點的影響
2.4.2 分壓式偏置放大器
2.5 放大器三種組態
2.5.1 共集放大器
2.5.2 共基放大器
2.5.3 三種組態的性能比較
2.6 場效應管放大器
2.6.1 場效應管微變等效電路
2.6.2 自偏壓電路的動態分析
2.6.3 分壓式自偏壓電路
2.6.4 共漏極放大電路
2.7 多級放大器
2.7.1 多級放大器的耦合方式
2.7.2 三個動態性能指標
2.8 復合管
2.8.1 復合管的結構
2.8.2 復合管的特點
2.9 頻率響應特性
2.9.1 單級頻率響應特性
2.9.2 多級頻響特性曲線
小結
習題
第3章 功率放大器
3.1 功放的特點和分類
3.1.1 功放主要性能指標的要求
3.1.2 功放工作狀態的分類
3.2 OCL功放
3.2.1 乙類互補對稱電路的組成
3.2.2 性能指標估算
3.2.3 功放管選取原則
第4章 差動放大器
第5章 負反饋放大器
第6章 集成運放的應用
第7章 信號發生器
第8章 穩壓電源
附錄1 半導體器件型號組成部分的符號及其意義
附錄2 硅半導體器整流二極管選錄
附錄3 國產某些硅穩壓管的主要參數
附錄4 國產某些半導體三極管的主要參數
附錄5 部分國產場效應管主要參數
附錄6 各種集成運算放大器參數表
附錄7 集成功放型號速查表
附錄8 W78XX系列三端穩壓器性能參數
部分習題答案
參考文獻
第1章 半導體元件基礎
1.1 半導體常識
1.1.1 本征半導體
1.1.2 雜質半導體
1.1.3 PN結及其單向導電性
1.2 二極管
1.2.1 極管的結構及符號
1.2.2 二極管的伏安特性及主要參數
1.2.3 極管的測試
1.2.4 極管應用電路舉例
1.2.5 特殊二極管
1.3 半導體三極管
1.3.1 三極管的結構及符號
1.3.2 三極管的電流分配原則及放大作用
1.3.3 三極管的特性曲線及主要參數
1.3.4 三極管的檢測
1.3.5 特殊三極管
1.4 場效應管
1.4.1 結型場效應管
1.4.2 絕緣柵場效應管
1.4.3 各種場效應管的符號、電壓極性及特性曲線
1.4.4 場效應管的性能特點及檢測與選用
小結
習題
第2章 交流小信號放大器
2.1 放大器的基本組成
2.1.1 各元件的作用
2.1.2 電壓、電流等符號的規定
2.1.3 放大電路實現信號放大的實質
2.1.4 基本放大電路的組成原則
2.1.5 放大電路的主要性能指標
2.2 圖解分析法
2.2.1 靜態工作點Q
2.2.2 交流負載線
2.2.3 動態工作范圍
2.2.4 非線性失真
2.3 微變等效電路
2.3.1 三極管微變等效電路模型
2.3.2 共射放大器微變等效電路
2.4 靜態工作點穩定措施
2.4.1 溫度變化對Q點的影響
2.4.2 分壓式偏置放大器
2.5 放大器三種組態
2.5.1 共集放大器
2.5.2 共基放大器
2.5.3 三種組態的性能比較
2.6 場效應管放大器
2.6.1 場效應管微變等效電路
2.6.2 自偏壓電路的動態分析
2.6.3 分壓式自偏壓電路
2.6.4 共漏極放大電路
2.7 多級放大器
2.7.1 多級放大器的耦合方式
2.7.2 三個動態性能指標
2.8 復合管
2.8.1 復合管的結構
2.8.2 復合管的特點
2.9 頻率響應特性
2.9.1 單級頻率響應特性
2.9.2 多級頻響特性曲線
小結
習題
第3章 功率放大器
3.1 功放的特點和分類
3.1.1 功放主要性能指標的要求
3.1.2 功放工作狀態的分類
3.2 OCL功放
3.2.1 乙類互補對稱電路的組成
3.2.2 性能指標估算
3.2.3 功放管選取原則
第4章 差動放大器
第5章 負反饋放大器
第6章 集成運放的應用
第7章 信號發生器
第8章 穩壓電源
附錄1 半導體器件型號組成部分的符號及其意義
附錄2 硅半導體器整流二極管選錄
附錄3 國產某些硅穩壓管的主要參數
附錄4 國產某些半導體三極管的主要參數
附錄5 部分國產場效應管主要參數
附錄6 各種集成運算放大器參數表
附錄7 集成功放型號速查表
附錄8 W78XX系列三端穩壓器性能參數
部分習題答案
參考文獻
展開全部
模擬電子技術 節選
第1章 半導體元件基礎
1.1 半導體常識
自然界中的物質，按其導電能力可分為三大類：導體、半導體和絕緣體。導電能力介于導體和絕緣體之間的物質稱為半導體，其主要制造材料是硅（Si）、鍺（Ge）或砷化鎵（GaAs）等。
半導體具有熱敏性、光敏性和摻雜性的特點，即受光照和熱激發便能增強導電能力，摻人微量的三價或五價元素（雜質）能顯著增強導電能力。
1．1．1本征半導體
完全純凈的、結構完整的半導體材料稱為本征半導體。純凈的硅和鍺都是四價元素，其原子核*外層電子數為4個（價電子）。在單結晶結構中，由于原子排列的有序性，價電子為相鄰的原子所共有。
1．本征半導體的原子結構及共價鍵
共價鍵內的兩個電子由相鄰的原子各用一個價電子組成，稱為束縛電子。
2．本征激發和兩種載流子——自由電子和空穴
在室溫和光照下，少數價電子獲得足夠的能量擺脫共價鍵的束縛成為自由電子。束縛電子脫離共價鍵成為自由電子后，在原來的位置留出一個空位，稱此空位為空穴。溫度升高，半導體材料中產生的自由電子便增多。本征半導體中，自由電子和空穴成對出現，數目相同。
空穴出現以后，鄰近的束縛電子可能獲取足夠的能量來填補這個空穴，而在這個束縛電子的位置又出現一個新的空位，另一個束縛電子又會填補這個新的空位，這樣就形成束縛電子填補空穴的運動。
……
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