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功率半導體器件-產業專利分析報告-(第10冊)-(附光盤) 版權信息
- ISBN:9787513017886
- 條形碼:9787513017886 ; 978-7-5130-1788-6
- 裝幀:一般膠版紙
- 冊數:暫無
- 重量:暫無
- 所屬分類:>>
功率半導體器件-產業專利分析報告-(第10冊)-(附光盤) 本書特色
楊鐵軍主編的這本《產業專利分析報告(第10冊)——功率半導體器件》是功率半導體器件領域的專利分析研究報告。 報告先對功率半導體器件的整體專利情況進行分析,再對目前熱門的IGBT器件產品和未來發展趨勢的寬禁帶半導體SiC功率器件進行重點的分析和介紹,突出發展趨勢和發展需求,并對行業領先的國際重點企業的專利情況進行詳細介紹,思路清晰,重點突出。 報告從發展趨勢、申請人、目標國家/地區等多個維度對功率半導體器件產業專利進行分析,而且每項分析都給出了明確的結論,這對于專利分析的結構完整性非常重要。報告中大量使用經過深度加工的專利統計數據,清晰地展現了功率半導體器件產業的專利分布情況。特別是對IGBT的專利從技術構成和技術功效等技術角度清晰地展現了IGBT器件的技術發展路線和發展趨勢,對于產業的發展顯得非常重要。
功率半導體器件-產業專利分析報告-(第10冊)-(附光盤) 內容簡介
《產業專利分析報告(第10冊):功率半導體器件》是功率半導體器件行業的專利分析報告。報告從功率半導體器件行業的專利(國內、國外)申請、授權、申請人的已有專利狀態、其他先進國家的專利狀況、同領域領先企業的專利壁壘等方面入手,充分結合相關數據,展開分析,并得出分析結果。《產業專利分析報告(第10冊):功率半導體器件》是了解功率半導體器件行業技術發展現狀并預測未來走向,幫助企業做好專利預警的**工具書。
功率半導體器件-產業專利分析報告-(第10冊)-(附光盤) 目錄
第1章 研究概述
1.1 技術概況
1.1.1 主要功率半導體器件的技術特點及應用
1.1.2 產業現狀
1.1.3 行業需求
1.2 研究對象和方法
1.2.1 技術分解
1.2.2 數據檢索
1.2.3 查全查準評估
1.2.4 數據處理
1.2.5 相關事項和約定
第2章 功率半導體器件領域專利分析
2.1 全球專利分析
2.1.1 發展趨勢分析
2.1.2 首次申請國家/地區分析
2.1.3 目標國家/地區分析
2.1.4 申請人分析
2.2 中國專利分析
2.2.1 中國專利申請發展趨勢分析
2.2.2 主要技術分析
2.2.3 專利申請的國別分析
2.2.4 專利申請的省市/地區區域分布
2.2.5 國內外申請人的類型分析
2.2.6 主要申請人分析
2.3 結論
第3章 igbt領域專利申請分析
3.1 igbt領域產業技術概況
3.1.1 技術概況
3.1.2 產業現狀
3.2 全球專利申請現狀
3.2.1 技術構成分析
3.2.2 igbt結構的技術發展路線
3.2.3 首次申請國家/地區分析
3.2.4 目標國家/地區分析
3.2.5 申請人分析
3.3 中國專利申請現狀
3.3.1 申請趨勢分析
3.3.2 技術構成分析
3.3.3 技術功效分析
3.3.4 國外申請人區域分布分析
3.3.5 中國申請人區域分布分析
3.3.6 主要申請人分析
3.3.7 小結
3.4 結論
3.4.1 全球申請
3.4.2 中國申請
第4章 sic器件專利申請分析
4.1 全球專利申請現狀
4.1.1 申請趨勢分析
4.1.2 技術生命周期分析
4.1.3 技術構成分析
4.1.4 申請人國家/地區分布
4.1.5 申請人分析
4.2 中國專利申請現狀
4.2.1 申請趨勢分析
4.2.2 技術構成分析
4.2.3 申請人分析
4.3 mosfet柵氧化膜技術分析
4.3.1 發展路線分析
4.3.2 中國申請技術布局
4.3.3 未來需重點關注的相關申請
4.4 結論
4.4.1 全球申請狀況
4.4.2 中國申請狀況
4.4.3 mosfet柵氧化膜技術
第5章 英飛凌公司專利申請分析
5.1 專利申請現狀
5.1.1 申請量趨勢分析
……
第6章 abb公司專利申請分析
第7章 重要專利篩選及分析
第8章 主要結論
附錄1 重要專利列表
附錄2 sicmosfet器件柵氧化膜技術未來需要關注的相關申請
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